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'Taxonomy' of Electron Glasses

机译:电子眼镜的“分类学”

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摘要

We report measurements of the real and imaginary parts of the AC conductivityin the quantum limit, \hbar \omega > k_B T of insulating nominallyuncompensated n-type silicon. The observed frequency dependence shows evidencefor a crossover from interacting Coulomb glass-like behavior at lower energiesto non-interacting Fermi glass-like behavior at higher energies across a broaddoping range. The crossover is sharper than predicted and cannot be describedby any existing theories. Despite this, the measured crossover energy can becompared to the theoretically predicted Coulomb interaction energy andreasonable estimates of the localization length obtained from it. Based on acomparison with the amorphous semiconductor NbSi, we obtain a generalclassification scheme for electrodynamics of electron glasses.
机译:我们报告了在绝缘标称未补偿n型硅的量子极限\ hbar \ omega> k_B T中测量的交流电导率的实部和虚部。观察到的频率依赖性显示了在较宽的掺杂范围内从较低能量的相互作用库仑玻璃行为转变为较高能量的非相互作用费米玻璃行为的证据。交叉比预期的要尖锐,并且无法用任何现有理论来描述。尽管如此,测得的穿越能量可以与理论上预测的库仑相互作用能和从中获得的定位长度的合理估计进行比较。通过与非晶半导体NbSi的比较,我们获得了电子玻璃电动力学的通用分类方案。

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